| 研究期間 | 2024/10/1 - 2027/3/31 |
| 研究課題名 | 窒化ガリウムのピコ秒レーザーを用いたスマートプロセッシング |
| カテゴリー | 全てのクラスター、研究クラスター一覧、登録クラスター、工学、電気電子、理学、物理学 |
| SDGs | 7.エネルギー |
| 応募課題 |
ミッション実現クラスターと融合し、社会実装や基礎研究の更なる推進につながる研究課題 光工学 |
| クラスター長氏名 | 富田 卓朗（大学院社会産業理工学研究部、理工学域・電気電子系、准教授） |
| 所属する研究者氏名 | 久世 直也（ポストLEDフォトニクス研究所・准教授） 永松 謙太郎（ポストLEDフォトニクス研究所・准教授） 岡田 達也（大学院社会産業理工学研究部・理工学域・教授） |
| 研究概要 | GaNを用いたデバイスでは、p-GaNと電極界面で高品質な低抵抗オーミック接触を得ることが難しい上、作製プロセスにも課題があり、その問題解決が急務とされている。申請者らは、先行研究においてピコ秒レーザーを金属電極に照射することによってニッケル(Ni)原子がGaN基板内部へよく拡散することを明らかにした。そこで、電極作製の手段としてレーザー照射、特にピコ秒レーザー照射を用いることでオーミック電極を作製することを提案する。GaNデバイスは横型デバイスであることが多いことから、縦型デバイスが多用されるパワーデバイスを比べ、基板側からのレーザー照射の手法が適用しやすい素子構造となっており、本手法が最適である。 |
| 研究概要図 | |
| 研究者の役割分担 | 久世 直也（ポストLEDフォトニクス研究所・准教授）：ファイバーレーザーの構築 永松 謙太郎（ポストLEDフォトニクス研究所・准教授）：レーザー改質窒化ガリウムのデバイス応用 岡田 達也（大学院社会産業理工学研究部・理工学域・教授）：レーザー改質部のTEM観察 |
