| 研究期間 | 2018/4/1 - 2021/3/31 |
| 研究課題名 | 【終了】p型窒化物半導体へのオーミック電極作製技術の開発 |
| カテゴリー | 全てのクラスター、研究クラスター一覧、登録クラスター、終了した研究クラスター、工学、電気電子、機械、光応用、材料、理学、物理学 |
| SDGs | 9.イノベーション |
| 応募課題 | |
| クラスター長氏名 | 富田 卓朗（大学院社会産業理工学研究部、理工学域、准教授） |
| 所属する研究者氏名 | 富田卓朗(大学院社会産業理工学研究部 理工学域 准教授) 岡田達也(大学院社会産業理工学研究部 理工学域 教授) 直井美貴(大学院社会産業理工学研究部 理工学域 教授) 久澤大夢(大学院社会産業理工学研究部 理工学域 助教) 高島祐介(大学院理工学研究部社会産業 理工学域 専門研究員) |
| 研究概要 | p型窒化物半導体に金属電極を作製する手段として、フェムト秒レーザー光と呼ばれる強力な短パルス光を照射する手法を提案、実証する。平成29年度の選定クラスター『フェムト秒レーザー照射を応用したデバイス作製技術の開発』において、p型窒化物半導体への電極形成にフェムト秒レーザー照射が有効であることが明らかになった。この結果はLEDや半導体レーザーなどの窒化ガリウムを用いた光半導体市場と比べても一桁大きな市場が期待できるとされる窒化物半導体の電子バイス応用への大きな一歩となるものである。また、フェムト秒レーザーを用いたp型窒化物半導体への電極形成は従来のイオン注入を用いた方法と比較し、局所的に電極を作製できることから、窒化物半導体の光デバイスや電子デバイスへの展開の上で、ブレークスルーを引き起こす期待が大きい。 そこで、本年度から、新たにp型窒化物半導体へのフェムト秒レーザー照射を用いた電極形成技術の実用化と応用展開について的を絞り、早期の実用化を目指す研究クラスターを本年度から立ち上げることで、より本学や本県の優位性を活かし、その特長に合わせた研究へと展開する。 |
| 研究概要図 | |
| 研究者の役割分担 | 電極を作製する材料の選定、レーザー照射のための試料の準備は直井が担当する。フェムト秒レーザー照射は富田が担当し、照射によって改質された電極の電子顕微鏡観察は岡田と久澤が担当する。実際のデバイス実装に関しては直井と高島が協力して行う。特に、高島はLEDへの実装についての検討を行う。これら全ての研究について富田が総括するとともに全責任を負う。 |
