| 研究期間 | 2017/4/1 - 2020/3/31 |
| 研究課題名 | 【終了】次世代電子デバイスに向けた新機能性材料の作製法の開発 |
| カテゴリー | 全てのクラスター、研究クラスター一覧、終了した研究クラスター、工学、電気電子 |
| SDGs | 9.イノベーション |
| 応募課題 | |
| クラスター長氏名 | 西野 克志（大学院社会産業理工学研究部、理工学部門 電気電子系、准教授） |
| 所属する研究者氏名 | 永瀬 雅夫（大学院社会産業理工学研究部理工学部門電気電子系・教授・ナノ構造物理） 酒井 士郎（大学院社会産業理工学研究部理工学部門電気電子系・教授・光デバイス） 直井 美貴（大学院社会産業理工学研究部理工学部門電気電子系・教授・光工学） 富田 卓朗（大学院社会産業理工学研究部理工学部門電気電子系・准教授・光物性） 大野 恭秀（大学院社会産業理工学研究部理工学部門電気電子系・准教授・ナノ材料工学） 敖 金平（大学院社会産業理工学研究部理工学部門電気電子系・准教授・電子デバイス） 川上 烈生（大学院社会産業理工学研究部理工学部門電気電子系・助教・プラズマプロセス） |
| 研究概要 | 低炭素・低環境負荷社会実現のため，次世代半導体デバイスの開発が要求されている。そのためには信頼性の高い高性能な電子デバイスの開発が求められている。それを実現するためには今までにない新しい電子材料の開発，その電子材料を用いた各種センサ素子，LED等の電子部品（デバイス）の開発が不可欠である。この実現を目指し，本研究では以下のような研究を行う。まず既存材料の窒化物半導体については，高性能化を図るため、高品質な結晶の作製およびその物性評価を行う。さらに得られた高品質結晶を用いて偏光を制御するなど新規な機能をもつLEDなどの光デバイスへの応用を試みる。同時に大電力・高周波で動作する電子デバイスへの応用に関する研究を進める。グラフェンなど新機能材料については高品質結晶の成長技術開発とその物性評価に関する研究を進める。またナノデバイス作製に関する要素技術開発に関する研究，無線電力伝送用トランジスタ開発に関する研究を行う。 |
| 研究概要図 | |
| 研究者の役割分担 | 西野 克志：窒化物半導体の結晶成長 永瀬 雅夫：グラフェンの結晶成長および物性評価 酒井 士郎：窒化物半導体光デバイスの開発 直井 美貴：窒化物半導体の発光制御 富田 卓朗：半導体の基礎物性評価 大野 恭秀：グラフェンのデバイス応用 敖 金平：窒化物半導体のデバイス作製 川上 烈生：窒化物半導体のプラズマナノプロセシング |
